继HBM之后，存储芯片领域又一革命性技术正在从概念走向现实。

据《科创板日报》4月13日报道，闪迪（SanDisk）已正式启动高带宽闪存（High Bandwidth Flash，HBF）原型生产线的供应链建设，正在与材料、组件及设备合作伙伴密集接洽，构建完整的产业生态系统。公司计划于2026年下半年推出HBF原型产品，试点生产线预计年底前投入运营，目标2027年实现商业化量产。

什么是HBF？一座“图书馆”填补AI存储鸿沟

HBF是一种通过堆叠NAND闪存制成的新型存储器，其结构逻辑与当前AI芯片标配的HBM（高带宽内存）类似，但核心差异在于堆叠介质——HBM堆叠DRAM，而HBF堆叠的是NAND闪存。

“HBM之父”、韩国科学技术院教授金正浩用一个形象的比喻解释两者的区别：“HBM好比书房，容量虽小但取用极其方便；HBF则像图书馆，虽然距离稍远，但藏书量巨大。”

在AI大模型参数指数级增长的背景下，仅靠昂贵的HBM已难以满足海量数据读取需求，而传统SSD的速度又无法匹配GPU的算力。HBF正是为解决这一痛点而生——它借鉴HBM的3D堆叠和硅通孔（TSV）技术，将NAND闪存的带宽提升至接近HBM的水平，同时保留NAND低成本、大容量和非易失性的优势。

据业内测算，HBF的存储容量有望达到现有HBM的8倍以上，被视为满足AI大模型内存容量要求的最佳技术路径之一。

闪迪联手SK海力士，HBF标准化进程提速

值得关注的是，闪迪并非孤军奋战。2025年2月，闪迪首次提出HBF概念。近期，该公司与HBM霸主SK海力士联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，在开放计算项目（OCP）框架下正式发布面向AI推理时代的全球标准化战略。

分析人士指出，SK海力士拥有顶尖的堆叠封装技术，闪迪则是HBF商业化的先行者，两者的强强联合意在通过制定行业标准，加速HBF生态成熟。与此同时，三星电子也已加入这一赛道，计划独立开发HBF产品。

业内人士分析称，闪迪加速开发HBF与其自身产品结构密切相关——该公司目前产品组合中没有基于DRAM的HBM，因此正全力以赴通过HBF这一差异化技术在AI存储市场抢占先机。

生产线提前半年，商业化路线图明晰

据The Bell援引消息人士透露，随着样品生产正式启动，闪迪似乎将比此前公布的HBF开发路线图提前约六个月完成目标。

从时间表来看：2026年下半年，HBF原型产品及试点产线建成；2027年初，搭载HBF的AI推理设备预计出样；2027年底至2028年初，HBF技术有望集成至英伟达、AMD及谷歌的相关产品中。

生产地点方面，日本已成为热门候选地。业界预计，试点生产线将于2026年下半年建成，年底投入运营，目标2027年实现商业化。

哪些A股上市公司有望受益？

HBF作为一种全新的存储架构，其产业化将带动上游材料、封装设备、存储模组等多个环节的需求增长。结合产业链位置与技术布局，以下A股公司值得关注：

· 香农芯创（300475）：作为国内领先的存储芯片分销商，与SK海力士等原厂保持紧密合作关系。HBF技术若实现规模化应用，公司有望率先受益于新产品线的分销红利。
· 佰维存储（688525）：专注于存储模组研发与生产，产品覆盖嵌入式存储、消费级存储等领域。HBF作为NAND闪存的新型应用形态，将为公司打开新的产品空间。
· 德明利（001309）：主营闪存主控芯片及存储模组，在NAND闪存应用领域具备深厚积累。HBF技术的商业化将带动闪存产业链需求增长。
· 江波龙（301308）：国内存储模组龙头之一，拥有FORESEE和Lexar双品牌，在闪存应用领域布局广泛。HBF产业化有望为公司带来新的增长机遇。
· 大为股份（002213）：近期在存储芯片概念中表现活跃，主营半导体存储器业务，有望受益于行业整体景气度提升。
· 普冉股份（688766）：专注于非易失性存储芯片设计，在NOR Flash领域具备优势，有望受益于存储芯片整体需求扩容。

东方证券判断，HBF采用NAND Flash闪存进行堆栈，若未来得到广泛应用，有望为NAND市场增长进一步打开空间。中信证券研报指出，看好Agent AI时代存力提升趋势，预计存储行业供不应求至少到2027年底。

随着闪迪HBF生产线的加速落地，一场围绕AI推理存储架构的产业变革已然拉开序幕。