第三代半导体材料是以碳化硅（SiC)、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等为主的材料，禁宽带，全组分直接带隙。目前应用端，比较成熟或者典型的，以SiC、GaN为主。这类材料在新能源车和5G时代扮演的角色相当重要。它的优点很多，抗高温、高功率、高压、高频、高辐射，比Si基半导体节约一半能耗，体积减少75%，适合做高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路。
